TE Connectivity Connecteur intelligent à mémoire EEPROM intégrée
Le connecteur intelligent à mémoire EEPROM intégrée de TE Connectivity (TE) combine les fonctionnalités d'un connecteur et d'une mémoire en une solution unique et compacte qui simplifie le développement de la plateforme et les processus de production. En intégrant la mémoire EEPROM directement dans le connecteur, la conception permet une reconnaissance automatique du modèle tout en réduisant les étapes de configuration manuelle et en aidant à gérer la multiplication des variantes de produits. L’intelligence de la mémoire intégrée permet de stocker et de récupérer localement les informations de fonctionnement et les données relatives à l’utilisateur, sans nécessiter de carte mémoire distincte. Cette approche permet de réduire l’espace requis sur la carte PCB, de diminuer la complexité globale de la conception et de réduire la variation des stocks. Le connecteur intelligent à mémoire EEPROM intégrée de TE Connectivity est compatible avec la plateforme de connecteurs Economy Power 2.5, ce qui permet aux concepteurs de prendre en charge de multiples applications avec une solution de connectivité commune.Caractéristiques
- Mémoire EEPROM intégrée dans le connecteur assemblé
- Prend en charge la reconnaissance automatique de modèles pendant la production
- Permet de réduire les exigences de configuration manuelle
- Permet de stocker et de récupérer localement les données de fonctionnement et les données relatives à l'utilisateur.
- Compatible avec les systèmes de connecteurs Economy Power 2.5
- Montage direct sur PCB pour une robustesse accrue et une meilleure résistance aux vibrations
- Élimine le besoin d'une carte mémoire distincte
- Permet une maintenance, un diagnostic et une maintenance plus rapides
Applications
- Électronique grand public
- Produits médicaux
- Connecteurs et faisceaux de câbles
- Batteries / piles
- Appareils électroménagers
- Accessoires industriels et grand public
Caractéristiques techniques
- Plage de tension d'entrée de 3 V à 4,5 V
- Contact en alliage de cuivre
- Puce de mémoire EEPROM de 1 Kbit
- Courant de lecture de 0,3 mA
- Courant d’écriture de 0,5 mA
- Endurance de 1 000 000 cycles d'écriture
- Plage de température de fonctionnement de -25 °C à +85 °C
Vue étendue
Publié le: 2026-07-14
| Mis à jour le: 2026-07-28
