650 V CoolSiC™-M1-Trench-Leistungs-MOSFETs

Die 650 V CoolSiC ™ -M1-Trench-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies  kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumcarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements erhöhen. Die CoolSiC-M1-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die  höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsabläufe und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads. 

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1.000Auf Lager
Cut-Tape
5,36 €
2,83 €
2,09 €
2,08 €
Reel
2,08 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 643Auf Lager
Cut-Tape
15,67 €
9,68 €
9,41 €
Reel
9,16 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1.995Auf Lager
Cut-Tape
8,08 €
4,70 €
4,34 €
4,07 €
Reel
3,87 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 335Auf Lager
8,00 €
5,61 €
5,25 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 861Auf Lager
Cut-Tape
6,39 €
4,02 €
3,68 €
3,47 €
Reel
3,43 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1.019Auf Lager
Cut-Tape
8,72 €
4,82 €
4,52 €
4,45 €
Reel
4,28 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 753Auf Lager
Cut-Tape
5,80 €
3,40 €
3,10 €
2,92 €
Reel
2,80 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1.701Auf Lager
12,57 €
7,56 €
7,46 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 341Auf Lager
9,25 €
5,03 €
4,65 €
4,62 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 298Auf Lager
8,95 €
5,15 €
4,77 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 654Auf Lager
Cut-Tape
4,39 €
2,28 €
2,07 €
1,81 €
Reel
1,71 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 465Auf Lager
12,46 €
6,99 €
6,81 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 314Auf Lager
6,85 €
3,93 €
3,66 €
3,52 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 463Auf Lager
6,51 €
3,41 €
3,14 €
2,90 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 128Auf Lager
8,04 €
4,62 €
4,12 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 14Auf Lager
720erwartet ab 19.10.2027
6,35 €
4,02 €
3,77 €
3,45 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 17Auf Lager
3.600Auf Bestellung
13,68 €
7,75 €
7,68 €
7,67 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 175Auf Lager
12,66 €
7,11 €
6,95 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Reel
6,29 €
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Reel
5,30 €
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Reel
3,34 €
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
10,05 €
5,51 €
5,11 €
5,08 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
8,68 €
5,32 €
4,42 €
4,05 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
7,53 €
4,43 €
3,67 €
3,66 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
3,90 €
3,41 €
Min.: 240
Mult.: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement