Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

Résultats: 10
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 520.191En stock
Bande coupée
0,705 €
0,319 €
0,281 €
0,214 €
Bobine
0,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
56.349En stock
Bande coupée
0,447 €
0,199 €
0,174 €
0,131 €
Bobine
0,098 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 36.568En stock
12.00002/10/2026 attendu
Bande coupée
0,43 €
0,191 €
0,167 €
0,126 €
Bobine
0,091 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
4.979En stock
Bande coupée
0,396 €
0,243 €
0,153 €
0,114 €
Bobine
0,085 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 962En stock
69.00016/10/2026 attendu
Bande coupée
0,688 €
0,319 €
0,281 €
0,214 €
Bobine
0,165 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch 7.535En stock
24.00009/10/2026 attendu
Bande coupée
0,645 €
0,292 €
0,256 €
0,194 €
Bobine
0,148 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 164En stock
348.00011/12/2026 attendu
Bande coupée
0,722 €
0,329 €
0,29 €
0,221 €
Bobine
0,169 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 4.877En stock
Bande coupée
0,843 €
0,39 €
0,344 €
0,258 €
Bobine
0,194 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
825En stock
111.000Sur commande
Bande coupée
0,602 €
0,273 €
0,24 €
0,181 €
Bobine
0,138 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET
38.18305/10/2026 attendu
Bande coupée
0,748 €
0,338 €
0,298 €
0,227 €
Bobine
0,175 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel