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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 27.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS040B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS040B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V SiC COPACK Power Module

Datenblatt:

GCMS040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	57 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	242 W
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	COPACK Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.52 V

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Datenblatt

GCMS040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.