TRSxE65F SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Toshiba TRSxE65F SiC-Schottky-Barriere-Dioden zeichnen sich durch das Chip-Design der 2. Generation aus und sind in TRS6E65F- und TRS8E65F-Ausführungen verfügbar. Die TRSxE65F Dioden verfügen über einen hohen Stromstoß, eine kleine Sperrschichtkapazität und einen kleinen Sperrstrom. Diese Dioden sind in den Abmessungen 10,05 mm x 15,3 mm x 4,45 mm verfügbar. Die TRSxE65F Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in Blindleistungskompensations-, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und DC/DC-Wandlern.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Vr - Sperrspannung
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden V=650 IF=8A
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Datenblatt
19Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden V=650 IF=6A
Datenblatt
96erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C 650 V Tube