RBRxx40ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

Die RBRxx40ANZ Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind gängige Zweikanal-Dioden mit niedriger VF für die allgemeine Gleichrichtung. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-epitaxial-planar-Bauweise hergestellt und sind in einem TO-220FN-Gehäuse verfügbar. Die RBRxx40ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Zuverlässigkeit und eignen sich ideal für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 20A, ITO-220AB
Datenblatt
849Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 40 V 620 mV 100 A 240 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 10A, ITO-220AB
Datenblatt
863Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 40 V 620 mV 50 A 120 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 30A, ITO-220AB
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 40 V 620 mV 100 A 360 uA + 150 C Tube