NVMFS5832NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5832NLWFT1G-UM
NVMFS5832NLWFT1G-UM

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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Datenblatt:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.2 mOhms
20 V
2.4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 21 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 24 ns
Serie: NVMFS5832NL
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
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Datenblatt

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen RDS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5832NL von onsemi ist ein leistungsstarker MOSFET, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern. Das auf der fortschrittlichen Trench-Technologie basierende Bauteil NVMFS5832NL von onsemi bietet einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on) von 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, wodurch geringere Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung geboten werden. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V und einem Dauer-Drain-Strom von bis zu 120 A eignet sich dieser MOSFET ideal für anspruchsvolle Umgebungen wie DC-DC-Wandler, Synchrongleichrichtung und Motorsteuerung. Das kompakte 5 mm x 6 mm große Power-DFN-Gehäuse gewährleistet eine hohe Leistungsdichte und eine hervorragende Wärmeableitung, während die geringe Gate-Ladung des Bauteils ein schnelles Schalten für einen höheren Wirkungsgrad in Hochfrequenz-Designs ermöglicht.

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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