Les plus récent(e)s Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor BD16852AEFV-C 3-Phase Brushless Motor Driver

10.20.2026

- Includes a built-in power DMOS FET and is mounted with a 120° commutation sensorless drive.

ROHM Semiconductor BD58020GW E-Fuse Protection IC

10.20.2026

- This device is an overvoltage, overcurrent, and overtemperature protection IC.

ROHM Semiconductor LM3472EZ High-Speed Op Amps

10.20.2026

- These devices integrate dual or quad independent high-voltage-gain op amps on a single chip.

ROHM Semiconductor BD9B106NF-Z Synchronous Buck DC-DC Converter

10.20.2026

- Single synchronous buck DC-DC converter with built-in low on-resistance power MOSFETs.

ROHM Semiconductor Convertisseur BD9B306ANF-Z CC/CC

08.20.2026

- Convertisseur CC/CC abaisseur synchrone simple avec les MOSFET de puissance intégrés à faible résistance à l'état passant.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07.21.2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C

12.11.2025

- Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11.24.2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

11.18.2025

- Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

11.18.2025

- Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.

ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C

11.18.2025

- Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.

ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM

11.18.2025

- Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11.03.2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor Robotique

10.13.2025

- Solutions de semiconducteur pour le mouvement intelligent, la détection, l'alimentation et le contrôle robotique.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09.26.2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

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ROHM Semiconductor BD16852AEFV-C 3-Phase Brushless Motor Driver

10.20.2026

- Includes a built-in power DMOS FET and is mounted with a 120° commutation sensorless drive.

ROHM Semiconductor BD58020GW E-Fuse Protection IC

10.20.2026

- This device is an overvoltage, overcurrent, and overtemperature protection IC.

ROHM Semiconductor LM3472EZ High-Speed Op Amps

10.20.2026

- These devices integrate dual or quad independent high-voltage-gain op amps on a single chip.

Sensirion Formaldehyde Sensors & Sensor Modules

10.20.2026

- Selective formaldehyde sensors and multi-parameter modules for indoor air quality.

ROHM Semiconductor BD9B106NF-Z Synchronous Buck DC-DC Converter

10.20.2026

- Single synchronous buck DC-DC converter with built-in low on-resistance power MOSFETs.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10.19.2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Diodes Incorporated ZXCT1009 High-Side Current Monitors

10.19.2026

- Accurately measures load current without interrupting the system ground path.

Toshiba TCR5FF CMOS Low Dropout Regulators

10.19.2026

- 500mA CMOS LDOs with high ripple rejection and low output noise.

Texas Instruments OPA486 Operational Amplifier

10.16.2026

- 48V, low-noise, wide-bandwidth, low-power, and zero-drift operational amplifier.

Texas Instruments OPAx371D Decompensated Amplifier

10.16.2026

- Features 125kHz wide gain bandwidth, 650nA/ch low quiescent current, and 1.5V supply voltage.

Texas Instruments AM263Px LaunchPad™ Development Kit

10.16.2026

- Simple and inexpensive hardware evaluation module for the Sitara™ AM263Px series of MCUs.

Sensirion Kits d'évaluation EK-SLF3S

10.15.2026

- Conçus pour aider les utilisateurs à évaluer les capteurs de débit de liquide SLF3S-0600D ou SLF3S-1300D.

onsemi NB3N1900KMNGEVB PCIe Evaluation Board

10.15.2026

- Designed to quickly evaluate, characterize, and verify the operation of the NB3N1900K devices.

STMicroelectronics Carte d'extension ST4SIM-300M

10.15.2026

- Carte d'extension cellulaire STMod+ à connectivité cellulaire et eSIM GSMA SGP.32.

Murata Convertisseurs CC-CC MYRGC075060W31RB/MYRGC075060B31RB

10.15.2026

- Convertisseurs 36V, 600 mA CC-CC avec un CI de contrôle intégré et une inductance.

Murata Mini convertisseurs CC-CC PicoBK™ MYRGP-W/B

10.15.2026

- Dotés d’une plage de tension de sortie de 0,8 V à 3,6 V avec un rendement de 90 %.

STMicroelectronics EVL101G50FLT HPF Flyback Controller

10.15.2026

- 50W High-Power-Factor (HPF) quasi-resonant converter with isolated secondary-side regulation.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10.14.2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

onsemi FAD1110EVB Driver Evaluation Board

10.13.2026

- Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1110 automotive ignition driver IC.

onsemi FAD1100EVB Driver Evaluation Board

10.13.2026

- Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1100 automotive ignition driver IC.

Qorvo QPC6188 Absorptive SP4T Switch

10.13.2026

- Designed for use in cellular infrastructure, 5G, and other high-performance communication systems.

Qorvo QPC6122 Absorptive SPDT Switch

10.13.2026

- Wideband switching, reduces component count, and maintains low insertion loss and signal linearity.

Microchip Technology CI d'authentification d'ancre de confiance TA101

10.13.2026

- Ces dispositifs intègrent plusieurs protocoles de sécurité asymétriques, symétriques et de hachage.

u-blox Kit d'évaluation EVK-F112

10.09.2026

- Conçu pour évaluer simplement les performances de la technologie de positionnement F11.

Diodes Incorporated Tampon de sortance LVDS PI6C5912008B

10.08.2026

- Tampon de sortance LVDS à 8 sorties hautes performances prenant en charge des fréquences jusqu'à 2 GHz.

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