Tray DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C64M16D2B Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
Zentel Japan DRAM DDR4 8Gb, 512Mx16, 2666 at CL19, 1.2V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 32 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 64 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.080
Mult.: 1.080

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C DDR1 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray