Tray DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Winbond W638GU6RB-09
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 198
Mult.: 198

Tray
Winbond W638GU6RB-11
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 198
Mult.: 198

Tray
Winbond W638GU6RB09I
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, Industrial Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 198
Mult.: 198

Tray
Winbond W638GU6RB11I
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, Industrial Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 198
Mult.: 198

Tray
Winbond W639H6RBVABI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 800MHz, -40C-85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 189
Mult.: 189

Tray
Winbond W639H6RBVACI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 933MHz, -40C-85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 189
Mult.: 189

Tray
Winbond W639H6RBVADI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 1066MHz, -40C-85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 189
Mult.: 189

Tray
Winbond W668GG6TB06I
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X16, -40-95C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Winbond W668GG8TB06I
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X8, -40-95C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

Tray
Winbond W979H6RBVA1I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 168
Mult.: 168

Tray
Winbond W979H6RBVA2I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 - 85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 168
Mult.: 168

Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray