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FDPC8011S

Name: onsemi FDPC8011S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDPC8011S
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FDPC8011S

N° de fab. :

FDPC8011S

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench

Fiche technique:

FDPC8011S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	13 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV, 1.1 V
Qg - Charge de grille:	19 nC, 64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.6 W, 2 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	2 ns, 4 ns
Transconductance directe - min.:	97 S, 231 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns, 5 ns
Série:	FDPC8011S
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Poids de l''unité:	192 mg

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Fiche technique

FDPC8011S Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 1.740

Stock:: 1.740 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 110

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,98 €	1,98 €
	1,38 €	13,80 €
	0,946 €	94,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,946 €	2.838,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

FDPC8011S

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench

Caractéristiques

Documents (7)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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