SiC MOSFET Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Fiche technique
760En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
292En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Fiche technique
50En stock
3004/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Fiche technique
195En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Fiche technique
203En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Fiche technique
9En stock
72010/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Fiche technique
21En stock
5.520Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Fiche technique
37En stock
480Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Fiche technique
18En stock
1.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Fiche technique
660En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Fiche technique
795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Fiche technique
795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Central Semiconductor SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Fiche technique
40En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
35En stock
2.25021/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Fiche technique
102En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Fiche technique
289En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Fiche technique
117En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Fiche technique
5En stock
1.800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Fiche technique
4.396Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
4.000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Fiche technique
1.92009/08/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Fiche technique
1.992Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
IXYS SiC MOSFET 1200V 21mOhm in TO247
Fiche technique
65019/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
IXYS SiC MOSFET 1200V 18mOhm in TO247
Fiche technique
65019/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L