NTMFD0D9N02P1E MOSFET
Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E von onsemi ist ein Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen. Dieser MOSFET besteht aus einem asymmetrischen POWERTRENCH®-Leistungsclip. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E zeichnet sich durch einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste und einen niedrigen QG sowie eine geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste aus. Dieser MOSFET ist in einem kompakten Design mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm erhältlich. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E ist bleifrei und halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, SystemSpannungsschienen und universelle Point-of-Load-Wandler.
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