TBC8x7 Bipolar Junction Transistors

Toshiba TBC8x7 Bipolar Junction Transistors (BJTs) are available in both NPN and PNP polarities. These transistors are offered in a compact, surface-mount SOT23-3 package. Toshiba TBC8x7 BJTs feature a wide storage temperature (Tstg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (TJ)of +150°C. These transistors are ideal for use in low-frequency amplifiers and communication devices.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Konfiguration Maximaler Kollektorgleichstrom (DC) Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Kollektor-Basisspannung VCBO Emitter-Basisspannung VEBO Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Pd - Verlustleistung Bandbreitengewinnungsprodukt fT Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung

Toshiba Bipolartransistoren - BJT BJT NPN 0.15A 50V 5.722Auf Lager
9.000erwartet ab 19.10.2026
Cut-Tape
0,155 €
0,093 €
0,058 €
0,042 €
Reel
0,029 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Bipolartransistoren - BJT BJT PNP -0.15A -50V 17.846Auf Lager
Cut-Tape
0,155 €
0,093 €
0,058 €
0,042 €
Reel
0,029 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel