ASFET pour avalanche répétitive

Les ASFET Nexperia pour avalanche répétitive offrent une tension drain-source maximale de 40 VDS à 60 VDS, une plage de courant de drain de 16 ID à 40 ID et une charge grille-drain de 7,9 QGD. Les ASFET sont totalement homologués AEC-Q101 pour l'automobile et offrent une robustesse, une fiabilité et une technologie de boîtier à clip en cuivre LFPAK. Les ASFET Nexperia pour avalanche répétitive sont idéaux pour les systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V, les topologies d'avalanche répétitives et les applications de commande de moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Fiche technique
1.189En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Fiche technique
286En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Fiche technique
2.210En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel