1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 diskrete Transistoren

Die diskreten Transistoren von Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 sind die 7. Generation der 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie entwickelt wurden. Diese diskreten IGBTs bieten ein hohes Maß an Steuerbarkeit, geringe Leitungsverluste, geringe Schaltverluste, verbessertes EMI Betriebsverhalten und Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen. Die diskreten H7 IGBT7 Transistoren ermöglichen die Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens. Diese Transistoren werden in Schnellladeanlagen für Elektrofahrzeuge, industriellen Heiz- und Schweißanlagen sowie in unterbrechungsfreien Stromversorgungs (UPS) Applikationen.

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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 397Auf Lager
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- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 258Auf Lager
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IGBT7 H7 Tube
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 680Auf Lager
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Si IGBT7 H7 Tube
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
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IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package Vorlaufzeit 60 Wochen
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