SSM6N951L/SSM10N954L FeldeffektTransistoren

Die SSM6N951L/SSM10N954L Feldeffekttransistoren von Toshiba   fördern das hocheffiziente Laden/ Entladen von Batterien mit kleinen Zellen. Die Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Batterie ’ mit geringer thermischer Belastung ist eine wichtige Voraussetzung für Li-Ionen-Batterien, die schnell geladen werden. MOSFETs werden im Allgemeinen in der Lade-/ Entladeschutzschaltung als Schalter verwendet und sind häufig in Li-Ionen-Akkus eingebaut.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Toshiba MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A 4.533Auf Lager
Cut-Tape
1,78 €
0,853 €
0,764 €
0,605 €
Reel
0,498 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101 5.758Auf Lager
Cut-Tape
1,71 €
1,06 €
0,693 €
0,545 €
Reel
0,361 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape