GaN FETs – Mouser Luxemburg

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

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Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-

GAN140-650EBEZ
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SMD/SMT

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17 A

140 mOhms

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN

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GANC070-650TBHZ
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GANC070-650WSHQ
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GAN080-650EBEZ
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SMD/SMT

DFN-8080-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 7 V, + 7 V

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6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

GaN

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GAN190-650FBEZ
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: 2.500

SMD/SMT

DFN-5060-5

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

190 mOhms

- 7 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

GaN

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GAN190-650EBEZ
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+ 150 C

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GAN140-650FBEZ
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