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IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs
Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Gate-Kapazität, wodurch Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden. Diese n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs verfügen außerdem über eine extrem niedrige Sperrverzögerungsladung von 22,7 nC bis 23,0 nC.