Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

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NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1.882Auf Lager
9,19 €
7,18 €
6,67 €
6,01 €
Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1.000Auf Lager
10,07 €
7,88 €
7,34 €
6,93 €
6,36 €
Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
9,11 €
7,11 €
6,61 €
6,07 €
Reel
5,62 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
9,96 €
7,78 €
7,24 €
6,65 €
6,57 €
Reel
6,16 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
6,09 €
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
6,08 €
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
6,67 €
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
6,67 €
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray