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Composants électroniques
Semi-conducteurs
Semiconducteurs discrets
Transistors
FET GaN
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Transistors
FET GaN
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Pd - Dissipation d’énergie
FCLGA-3
WLCSP-8
Réinitialiser
100 V
150 V
≤
≥
Réinitialiser
28 A
60 A
≤
≥
Réinitialiser
3.2 mOhms
7 mOhms
≤
≥
Réinitialiser
2.1 V
2.5 V
≤
≥
Réinitialiser
7.6 nC
12 nC
≤
≥
Réinitialiser
28 W
394 W
≤
≥
Réinitialiser
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Package/Boîte
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Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Technologie
FET GaN GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
GAN3R2-100CBEAZ
Nexperia
1:
4,28 €
857
En stock
Fab. Numéro de référence
GAN3R2-100CBEAZ
Référence Mouser
771-GAN3R2-100CBEAZ
Nexperia
FET GaN GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
En savoir plus
sur Nexperia gan emode fets
Fiche technique
857
En stock
Bande coupée
1
4,28 €
10
2,22 €
100
2,01 €
500
1,75 €
Bobine
1.500
1,49 €
3.000
Afficher
1.000
1,50 €
3.000
1,48 €
MouseReel disponible
Acheter
Min. :
1
Mult. :
1
Bobine
:
1.500
Détails
SMD/SMT
WLCSP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
3.2 mOhms
- 6 V, + 6 V
2.5 V
12 nC
- 40 C
+ 150 C
394 W
Enhancement
GaN
FET GaN GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
GAN7R0-150LBEZ
Nexperia
1:
3,35 €
2.137
En stock
Fab. Numéro de référence
GAN7R0-150LBEZ
Référence Mouser
771-GAN7R0-150LBEZ
Nexperia
FET GaN GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
En savoir plus
sur Nexperia gan emode fets
Fiche technique
2.137
En stock
Bande coupée
1
3,35 €
10
1,76 €
100
1,57 €
500
1,32 €
1.000
1,29 €
Bobine
2.500
1,12 €
MouseReel disponible
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Min. :
1
Mult. :
1
Bobine
:
2.500
Détails
SMD/SMT
FCLGA-3
N-Channel
1 Channel
150 V
28 A
7 mOhms
- 6 V, + 6 V
2.1 V
7.6 nC
- 40 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
GaN
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