1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
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Verpackung/Gehäuse
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
Datenblatt
945Auf Lager
25,30 €
17,08 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
Datenblatt
288Auf Lager
11,23 €
6,77 €
5,94 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
Datenblatt
321Auf Lager
12,93 €
7,89 €
7,25 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
Datenblatt
363Auf Lager
12,93 €
7,89 €
7,16 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
Datenblatt
315Auf Lager
17,39 €
10,89 €
10,61 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Datenblatt
629Auf Lager
16,89 €
11,42 €
9,87 €
9,37 €
9,06 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN110N120B4H1
Datenblatt
231Auf Lager
42,04 €
32,18 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN110N120C4H1
Datenblatt
98Auf Lager
42,01 €
31,71 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN85N120C4H1
Datenblatt
116Auf Lager
510Auf Bestellung
35,25 €
26,25 €
25,51 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B