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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1.675Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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261Auf Lager
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: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1.199Auf Lager
MouseReel verfügbar
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: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
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1.098Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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143Auf Lager
Min.: 1
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: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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28Auf Lager
2.000erwartet ab 04.03.2027
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: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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148Auf Lager
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: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
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2.950Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
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: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
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: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel