FET GaN eMode

Les transistors FET GaN eMode Nexperia sont disponibles dans une plage de tension allant de 100 V à 650 V avec des performances de commutation supérieures. Ces transistors FET GaN offrent des capacités de transition rapides grâce à leurs faibles valeurs de QC et QOSS, ce qui se traduit par une excellente efficacité énergétique.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
Nexperia FET GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.908En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2.404En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2.416En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1.945En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2.354En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.921En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2.155En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 830En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2.622En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2.488En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
25019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
25019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
24919/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
25019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
25019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
25019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1