MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) de 1700 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) de 1700 V de Wolfspeed sont conçus pour offrir une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité exceptionnelles dans les systèmes de conversion d'énergie haute tension. En tirant parti de la technologie SiC avancée, ces MOSFET permettent d'obtenir des vitesses de commutation plus rapides, des fréquences de fonctionnement plus élevées et des pertes d'énergie réduites par rapport aux dispositifs conventionnels à base de silicium. Le résultat : des conceptions de systèmes plus petits, plus légers et plus efficaces, avec des exigences de refroidissement réduites et des coûts totaux de système plus bas. Dotés d'un fonctionnement de commande de grille de 12 V à 15 V, d'une faible capacité et d'une capacité de tension de blocage élevée, les dispositifs 1700 V de Wolfspeed offrent des performances robustes dans les applications industrielles et énergétiques exigeantes.