GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
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SMD/SMT
QFN-32
N-Channel
2 Channel
650 V
170 mOhms
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
GaN
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SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
22 A
70 mOhms
- 10 V
1.6 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
111 W
Enhancement
CoolGaN
Si
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SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
18 A
100 mOhms
- 10 V
1.6 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
81 W
Enhancement
CoolGaN
Si
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SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
16 A
140 mOhms
- 10 V
1.6 V
2.4 nC
- 55 C
+ 150 C
59 W
Enhancement
CoolGaN
Si
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SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
13 A
170 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
CoolGaN
Si
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SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
20 A
70 mOhms
- 10 V
1.2 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
91 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
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SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
18 A
100 mOhms
- 10 V
1.2 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
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PG-LSON-8
HEMT
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650 V
20 A
140 mOhms
- 10 V
1.2 V
2.4 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
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SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
12 A
170 mOhms
- 10 V
1.2 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
CoolGaN
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SMD/SMT
PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
70 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
236 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
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SMD/SMT
PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
49 A
42 mOhms
- 10 V
1.6 V
7.7 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolGaN
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IGT65R045D2ATMA1
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Rolle :
2.000
Details
SMD/SMT
PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
38 A
54 mOhms
- 10 V
1.6 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
131 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
IGT65R055D2ATMA1
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PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
31 A
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
106 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
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PG-HSOF-8
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650 V
13 A
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- 10 V
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
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