RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs

ROHM Semiconductor RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs verfügen über ein unbedrahtetes extrem kleines Gehäuse und ein freiliegendes Drain-Pad für eine ausgezeichnete Wärmeleitung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs der Baureihen RV8L002SN und RV8C010UN ein sehr schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen Antrieb mit 2,5 V mit extrem niedriger Spannung und ESD-Schutz bis zu 2 kV.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
7.986erwartet ab 21.10.2026
Cut-Tape
0,774 €
0,355 €
0,314 €
0,24 €
Reel
0,158 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
7.168erwartet ab 02.11.2026
Cut-Tape
0,851 €
0,388 €
0,342 €
0,262 €
Reel
0,164 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel