Modules IGBT PIM 1 200 V

Les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon offrent la technologie de diode EC7 et IGBT7 TRENCHSTOP™ basée sur la toute dernière technologie de tranchée à micro-motifs. Cette technologie réduit fortement les pertes et offre un haut niveau de contrôle. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. La puce est spécialement optimisée pour les applications d'entraînement industriel et les systèmes d'énergie solaire, et se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue en augmentant la température de fonctionnement maximale autorisée jusqu’à 175 °C dans les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon.