NVBG080N120SC1

onsemi
863-NVBG080N120SC1
NVBG080N120SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
30 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 11 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Serie: NVBG080N120SC1
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NVBG080N120SC1 1.200-V-SiC-MOSFET

Der 1.200-V-SiC-MOSFET NVBG080N120SC1 von onsemi bietet eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit als Silizium. Dieser MOSFET hat einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chipgröße, was eine geringe Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Der MOSFET NVBG080N120SC1 von onsemi bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte elektromoagnetische Störung (EMI) und eine reduzierte Systemgröße. Zu den typischen Applikationen gehören On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Wandler für EV/HEV.

1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
10,44 € 10,44 €
5,87 € 58,70 €
5,72 € 572,00 €
5,41 € 2.705,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
5,41 € 4.328,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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