π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Résultats: 22
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10.168En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 22.763En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 8.388En stock
18.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 16.182En stock
24.00028/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12.125En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 46En stock
54.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 1.794En stock
15.00014/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 3.682En stock
140.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 7.460En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 34.355En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 22.687En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V 7.239En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 898En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4.700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 31.091En stock
4.00024/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V 2.744En stock
12.00016/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
8.00014/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
16.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
6.00014/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms - 20 V, 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape