QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren sind diskrete 220-W-GaN-auf-SiC-HEMT, die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten und typischerweise 53,5 dBm gesättigte Ausgangsleistung mit 17 dB Großsignalverstärkung und 70 % Drain-Wirkungsgrad bieten.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Id - Drain-Gleichstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Maximale Betriebsfrequenz Mindestbetriebsfrequenz Technologie
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10erwartet ab 26.11.2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10erwartet ab 26.11.2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC