RGSX5TS65 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGSX5TS65 650-V-75-A-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus. Der RGSX5TS65 verfügt über eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 8μs. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine bleifreie bleiplattierung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Verpackung/Gehäuse Montageart Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Maximale Gate-Emitter-Spannung Kollektorgleichstrom bei 25 C Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
450Auf Lager
10,31 €
6,17 €
5,31 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT 427Auf Lager
8,85 €
5,23 €
4,43 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 438Auf Lager
9,49 €
5,64 €
4,80 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
400Auf Lager
10,91 €
6,56 €
5,76 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube