Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Ergebnisse: 9
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Vr - Sperrspannung
Serie
Verpackung
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
1.223Auf Lager
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
1.459Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH16G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
171Auf Lager
5.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 500

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH04G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
514Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH08G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
7Auf Lager
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH10G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
116Auf Lager
480erwartet ab 28.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW20G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
160Auf Lager
480erwartet ab 07.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DIODES
Datenblatt
240erwartet ab 06.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C 650 V XDW12G65 Tube