FET GaN – Mouser Luxembourg

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Mode canal	Nom commercial	Technologie
	FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 6,62 € 16.222En stock 6.00004/11/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence EPC2367 Référence Mouser 65-EPC2367 Nouveau produit	EPC	FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN En savoir plus sur EPC 2367 egan fets	Fiche technique	16.222En stock 6.00004/11/2026 attendu	Bande coupée 6,62 € 3,60 € 3,30 € 3,14 € 2,80 € Bobine 2,52 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 3.000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	FET GaN 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 6,08 € Non stocké Nouveau chez Mouser	Fab. Numéro de référence EPC2367A Référence Mouser 65-EPC2367A Nouveau chez Mouser	EPC	FET GaN 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. En savoir plus sur EPC 2367 egan fets	Fiche technique	Non stocké	6,08 € 4,07 € 3,27 € 2,91 € 2,34 €	Min. : 1 Mult. : 1

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