TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Maximale Betriebsfrequenz
Mindestbetriebsfrequenz
Technologie
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Datenblatt
722Auf Lager
68,91 €
68,23 €
52,79 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W 3 GHz 30 MHz GaN
Qorvo GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Reel
54,67 €
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W GaN-on-SiC