UJ3C SiC-FETs

SiC-FETs von UnitedSiC/QorvoUJ3C sind Siliziumkarbid (SiC)-FETs, die auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration basieren und für den Einsatz in Weichschalt-Designs optimiert sind. Die UJ3C SiC-FETs eignen sich ideal für die Aufrüstung eines bestehenden Silizium-basierten Bauteils oder für den Einstieg in ein neues SiC-basiertes Design. Diese Bauteile integrieren einen SiC-JFET mit einem benutzerdefinierten Si-MOSFET, um die ideale Kombination aus Normal-Aus-Betrieb, Hochleistungs-Body-Diode und einer einfachen Gate-Ansteuerung des MOSFETs mit dem Wirkungsgrad, der Geschwindigkeit und der hohen Temperaturbeständigkeit des SiC-JFETs zu erreichen. Resultierend daraus können bestehende Systeme eine Leistungssteigerung mit niedrigeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz erwarten. 

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247 713Auf Lager
10,40 €
5,72 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3 353Auf Lager
2.000erwartet ab 22.01.2027
9,50 €
6,63 €
5,53 €
4,93 €
4,66 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 425Auf Lager
1.000erwartet ab 28.12.2026
22,87 €
18,31 €
15,83 €
14,19 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 1.199Auf Lager
18,09 €
11,02 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247 513Auf Lager
22,17 €
14,28 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 356Auf Lager
31,53 €
23,44 €
22,24 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24 617Auf Lager
18,21 €
11,11 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 20Auf Lager
600Auf Bestellung
11,96 €
9,12 €
7,59 €
6,77 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 590Auf Lager
18,47 €
11,31 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 160Auf Lager
Cut-Tape
9,86 €
7,14 €
5,94 €
5,30 €
Reel
4,95 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3 79Auf Lager
Cut-Tape
23,04 €
17,96 €
Reel
14,80 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET