A5Gx Airfast HF GaN Leistungstransistoren

NXP Semiconductors  A5Gx Airfast HF GaN Leistungstransistoren sind 85 W und 112 W asymmetrische Doherty HF GaN Leistungstransistoren. Die Transistoren von NXP Semiconductors  A5Gx sind ideal für Mobilfunk-Basisstationen, die eine große Bandbreite benötigen. Die Leistung der Bauteile wird innerhalb des Bereichs der angegebenen Frequenz für jedes Teil garantiert, aber nicht außerhalb davon.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Maximale Betriebsfrequenz
Mindestbetriebsfrequenz
Technologie

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datenblatt
35Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datenblatt
208Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si