Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Vishay Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation bieten eine extrem niedrige Gütezahl (Figure of Merit, FOM) für eine Hochleistungsschaltung und einen hohen Wirkungsgrad. Die MOSFET-FOM wird als Einschaltwiderstand (R_(DS)ON) multipliziert mit der Gate-Ladung (Q_g) berechnet. Diese MOSFETs basieren auf der Superjunction-Technologie der 4. Generation von Vishay und verfügen über einen typischen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,088 Ω bis 0,225 Ω bei V_GS = 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung von bis zu 21 nC. Darüber hinaus bieten diese Bauteile niedrige effektive Ausgangskapazitäten (Co_(er) und Co_(tr)) für eine verbesserte Schaltleistung. Diese Werte sorgen für geringere Leit- und Schaltverluste, um Energie zu sparen.