MOSFET à canal N 1200 V MaxSiC™ MXP120

Les MOSFET à canal N 1200V MaxSiC™ MXP120 de Vishay Semiconductors présentent une tension drain-source de 1200 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3μs. Ces MOSFET présentent également une puissance dissipable admissible de 56 W à 288 W (Tc = 25 °C) et un courant de drain continu de 10,5 A à 53 A (Tc = 25 °C). Les MOSFET à canal N 1200 V MaxSiC™ MXP120 sont sans halogène et sont disponibles en boîtiers TO-247AD 3L, TO-247AD 4L et TO-263 7L. Ces MOSFET sont utilisés dans des chargeurs, des entraînements à moteur auxiliaires et des convertisseurs CC-CC.

Résultats: 17
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800En stock
10,52 €
7,61 €
6,34 €
5,82 €
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60024/03/2027 attendu
11,09 €
8,11 €
7,04 €
6,11 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60024/03/2027 attendu
10,99 €
8,03 €
6,98 €
6,05 €
5,94 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
79914/04/2027 attendu
8,77 €
6,20 €
5,16 €
4,60 €
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
59914/04/2027 attendu
9,51 €
6,09 €
5,29 €
4,76 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
79914/04/2027 attendu
7,99 €
5,46 €
4,50 €
4,01 €
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
58314/04/2027 attendu
8,72 €
5,45 €
4,70 €
4,20 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60014/04/2027 attendu
9,24 €
5,13 €
4,74 €
4,13 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
80014/04/2027 attendu
Bande coupée
7,28 €
3,95 €
3,63 €
3,02 €
Bobine
3,02 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
59514/04/2027 attendu
13,64 €
7,88 €
7,33 €
6,88 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
80009/12/2026 attendu
10,72 €
7,98 €
6,65 €
5,93 €
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60014/12/2026 attendu
11,45 €
8,41 €
7,34 €
6,35 €
6,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
80016/12/2026 attendu
Bande coupée
9,86 €
5,51 €
5,31 €
4,51 €
Bobine
4,51 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60014/12/2026 attendu
9,81 €
6,37 €
5,54 €
4,99 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
80009/12/2026 attendu
Bande coupée
9,04 €
5,01 €
4,74 €
4,03 €
Bobine
4,03 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60014/12/2026 attendu
8,93 €
5,68 €
4,93 €
4,35 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
60014/04/2027 attendu
14,17 €
8,21 €
7,65 €
7,23 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement