MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V

Les MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V de Wolfspeed disposent d’une tension de rupture plus élevée, offrant une marge de conception accrue pour prendre en charge les applications client. Ces MOSFET permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans le boîtier LP TO-247-4 et la technologie de montage en surface dans les options de boîtier TO-263-7 XL. Cela permet aux concepteurs de sélectionner la pièce adaptée à leur application.  Les MOSFET 750 V de Wolfspeed facilitent la conversion d'énergie efficace dans divers systèmes d’alimentation. Ces systèmes comprennent des alimentations industrielles à hautes performances, des systèmes de stockage d’énergie dans les convertisseurs de véhicules électriques (EV) et des entraînements à moteur CVC EV.

Résultats: 11
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
1.090En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
431En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
408En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
644En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
123En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
674En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Fiche technique
257En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
584En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Fiche technique
327En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement