750 V Diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs

Wolfspeed 750 V diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs verfügen über eine höhere Durchschlagspannung und Designmarge zur Unterstützung von Kundenapplikationen. Diese MOSFETs ermöglichen eine hohe Systemleistungsdichte mit einem Design mit niedrigem Profil im TO-247-4-LP-Gehäuse und einer Oberflächenmontage-Technologie in den TO-263-7 XL-Gehäuseoptionen. Dies ermöglicht Designern die Auswahl des richtigen Teils für ihre Applikation.  Die Wolfspeed 750 V MOSFETs ermöglichen eine effiziente Leistungsumwandlung in verschiedenen Leistungssystemen. Diese Systeme umfassen leistungsstarke industrielle Netzteile, Energiespeichersysteme in Elektrofahrzeug-Wandlern (EV) und EV-HLK-Motorantriebe.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
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1.090Auf Lager
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: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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431Auf Lager
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
408Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
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345Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
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644Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Datenblatt
674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
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257Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
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584Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
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327Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
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160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement