SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs

Toshiba  SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs sind Teil des umfangreichen Portfolios von MOSFETs von Toshiba in verschiedenen Schaltungskonfigurationen und Gehäusen. Die Bauteile verfügen über eine hohe Geschwindigkeit, eine hohe Leistungsfähigkeit, einen niedrigen Verlust, einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein kleines Gehäuse und vieles mehr. Die SSM6K51xNU eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Schalter und verfügen über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Sie verfügen über einen Antrieb von 1,5 V mit niedrigem Drain-Source-On-Widerstand.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A
Datenblatt
5.046Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V
Datenblatt
4.135Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A
Datenblatt
8.998erwartet ab 05.10.2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel