MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.