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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-FDT4N50NZU

Herst.- Nr.:

FDT4N50NZU

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223

Datenblatt:

FDT4N50NZU Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDT4N50NZU
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

FDT4N50NZU Datenblatt (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Tschechische Republik

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET

Der onsemi FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET, der auf der fortschrittlichen Planar-Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Der MOSFET verfügt über einen kleinen Einschaltwiderstand beim planaren MOSFET. Er bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energiestärke. Dank einer internen Gate-Source-ESD-Diode widersteht der UniFET-II-MOSFET einer Stoßbelastung von über 2 kV HBM.

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FDT4N50NZU

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223

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PCN

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Produkt- und Handelskonformität

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