SiC MOSFET – Mouser Luxembourg

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MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

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Résultats: 17

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Style de montage

Package/Boîte

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Qualification
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 19,15 € 1.206En stock	Fab. Numéro de référence SCT020HU120G3AG Référence Mouser 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.206En stock	Bande coupée 19,15 € 14,30 € 12,38 € Bobine 11,71 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 20,91 € 558En stock	Fab. Numéro de référence SCT012W90G3-4AG Référence Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	558En stock	20,91 € 16,74 € 14,47 € 13,71 € Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 23,84 € 443En stock	Fab. Numéro de référence SCT015W120G3-4AG Référence Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	443En stock	23,84 € 19,08 € 16,50 € 15,63 € Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 181En stock 600Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT020W120G3-4AG Référence Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	181En stock 600Sur commande	17,22 € 10,20 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,42 € 835En stock	Fab. Numéro de référence SCT040H120G3AG Référence Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	835En stock	Bande coupée 11,42 € 8,51 € 7,10 € 6,32 € Bobine 5,90 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 16,30 € 43En stock 600Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT025W120G3AG Référence Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	43En stock 600Sur commande	16,30 € 10,14 € 9,51 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 9En stock 1.200Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT025W120G3-4AG Référence Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	9En stock 1.200Sur commande	17,22 € 11,18 € 9,89 € 9,10 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 12,03 € 14En stock 60029/10/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT040W120G3AG Référence Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	14En stock 60029/10/2027 attendu	12,03 € 9,17 € 7,64 € 6,81 € 6,36 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 26,51 € 1.20006/08/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT011HU75G3AG Référence Mouser 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.20006/08/2027 attendu	Bande coupée 26,51 € 21,22 € 18,35 € Bobine 17,38 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 23,19 € 1.800Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT016H120G3AG Référence Mouser 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.800Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : SCT016H120G3AG Stock: 0 Sur commande: 800 30/04/2027 attendu 1.000 À déterminer Délai usine : 25 Semaines	Bande coupée 23,19 € 18,57 € 16,06 € 15,20 € Bobine 14,21 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 15,79 € 1.99711/06/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT025H120G3AG Référence Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.99711/06/2027 attendu	Bande coupée 15,79 € 9,78 € 9,65 € Bobine 8,91 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 19,83 € 99804/06/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT012H90G3AG Référence Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	99804/06/2027 attendu	Bande coupée 19,83 € 12,87 € 12,85 € 12,14 € Bobine 11,34 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 13,94 € 1.200Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT040HU120G3AG Référence Mouser 511-SCT040HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.200Sur commande	Bande coupée 13,94 € 10,62 € 8,85 € Bobine 7,89 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,75 € 60013/08/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT040HU65G3AG Référence Mouser 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	60013/08/2027 attendu	Bande coupée 11,75 € 8,95 € 7,46 € Bobine 6,65 € 6,29 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € 1.80013/08/2027 attendu	Fab. Numéro de référence SCT055HU65G3AG Référence Mouser 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	1.80013/08/2027 attendu	Bande coupée 11,64 € 7,52 € 6,85 € Bobine 6,23 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 59914/12/2026 attendu	Fab. Numéro de référence SCT070HU120G3AG Référence Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package En savoir plus sur STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Fiche technique	59914/12/2026 attendu	Bande coupée 12,62 € 8,66 € 7,63 € Bobine 6,88 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 11,76 € 100Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT040W120G3-4 Référence Mouser 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	100Sur commande	11,76 € 8,76 € 7,30 € 6,51 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101