MOSFET de puissance HiPerFET™ à canal N standard

Les MOSFET de puissance HiPerFET à canal N™ standard d'IXYS sont conçus pour les applications de commutation dure et de mode résonnant. Ces dispositifs offrent une faible charge de grille et une excellente robustesse avec une diode intrinsèque rapide. Ces composants sont disponibles dans de nombreux boîtiers industriels standard, y compris les types isolés.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Fiche technique
1.528En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Fiche technique
415En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRR
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 25
Mult. : 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube