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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
4.572En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Fiche technique
6.161En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
5.958En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Fiche technique
211En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
906En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.689En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
1.456En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
2.515En stock
3.85027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Fiche technique
1.301En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
2.259En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
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8.696En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Fiche technique
3.183En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 400V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel