Résultats: 10
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 639En stock
7,59 €
5,03 €
4,64 €
4,61 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3.296En stock
Bande coupée
23,61 €
18,36 €
17,52 €
17,38 €
Bobine
17,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En stock
12,81 €
8,65 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En stock
Bande coupée
10,55 €
5,94 €
5,80 €
5,49 €
Bobine
5,49 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 500En stock
8,72 €
5,79 €
5,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1.364En stock
Bande coupée
11,53 €
6,66 €
6,63 €
6,57 €
6,18 €
Bobine
6,18 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202En stock
24,74 €
17,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 299En stock
1.350Sur commande
8,20 €
4,61 €
4,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 330En stock
Bande coupée
11,43 €
7,34 €
6,94 €
Bobine
6,94 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En stock
45029/01/2027 attendu
9,31 €
5,61 €
4,55 €
4,15 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC