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MOSFET de puissance SiC 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V

Le MOSFET de puissance SiC (carbure de silicium) 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V de STMicroelectronics dispose d'une résistance à l'état passant minimale et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température, en raison des propriétés innovantes et avancées des matériaux à large bande interdite. Le SCTW70N120G2V offre également une diode de corps intrinsèque très rapide et robuste et des capacités de charge de grille et d'entrée extrêmement faibles. Une température nominale élevée de 200 °C permet une conception thermique améliorée des systèmes électroniques de puissance.

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Qualification
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 181En stock 600Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT020W120G3-4AG Référence Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Fiche technique	181En stock 600Sur commande	17,22 € 10,20 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,87 € 20En stock 1.200Sur commande	Fab. Numéro de référence SCT070W120G3-4AG Référence Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Fiche technique	20En stock 1.200Sur commande	11,87 € 7,93 € 7,46 € 6,69 € 6,29 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 59914/12/2026 attendu	Fab. Numéro de référence SCT070HU120G3AG Référence Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package En savoir plus sur STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Fiche technique	59914/12/2026 attendu	Bande coupée 12,62 € 8,66 € 7,63 € Bobine 6,88 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,12 € Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines	Fab. Numéro de référence SCT070H120G3AG Référence Mouser 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines	Bande coupée 11,12 € 8,29 € 6,91 € 6,16 € Bobine 5,75 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: 10,85 € Délai de livraison produit non stocké 36 Semaines	Fab. Numéro de référence SCT070W120G3-4 Référence Mouser 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package En savoir plus sur STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 36 Semaines	10,85 € 8,08 € 6,73 € 6,00 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement