SiC-MOSFETs – Mouser Luxemburg

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CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

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Angewendete Filter:

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,35 € 825Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	825Auf Lager	Cut-Tape 6,35 € 4,06 € 3,73 € 3,67 € Reel 3,41 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,42 € 617Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	617Auf Lager	Cut-Tape 11,42 € 7,09 € 6,68 € 6,36 € Reel 6,22 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,00 € 368Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	368Auf Lager	6,00 € 4,26 € 3,66 € 3,44 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,19 € 303Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	303Auf Lager	Cut-Tape 8,19 € 4,88 € 4,58 € 4,39 € Reel 4,33 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,72 € 240Auf Lager End-of-Life-Produkt	Herst. Teilenr. IMZA65R107M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R107M1HXKS End-of-Life-Produkt	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET	Datenblatt	240Auf Lager	5,72 € 3,65 € 3,46 € 3,45 € 3,22 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 13,78 € 2.509Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	2.509Auf Lager	Cut-Tape 13,78 € 8,20 € Reel 7,76 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,50 € 6.934Auf Lager 3.000erwartet ab 29.07.2027	Herst. Teilenr. IMBF170R450M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	6.934Auf Lager 3.000erwartet ab 29.07.2027	Cut-Tape 6,50 € 3,53 € 3,24 € 3,07 € Reel 2,74 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3.844Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	3.844Auf Lager	Cut-Tape 6,46 € 3,47 € 3,17 € 3,16 € Reel 2,87 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,87 € 1.731Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	1.731Auf Lager	12,87 € 8,01 € 7,46 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 361Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	361Auf Lager	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,17 € 880Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	880Auf Lager	9,17 € 5,62 € 5,19 € 4,91 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,51 € 967Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	967Auf Lager	13,51 € 7,75 € 7,69 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,94 € 309Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	309Auf Lager	8,94 € 5,15 € 4,77 € 4,76 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,62 € 2.469Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	2.469Auf Lager	Cut-Tape 5,62 € 2,98 € 2,66 € Reel 2,38 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,95 € 1.430Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	1.430Auf Lager	Cut-Tape 4,95 € 2,60 € 2,37 € 2,13 € Reel 2,13 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 500 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,20 € 866Auf Lager 240erwartet ab 16.10.2026 NRND	Herst. Teilenr. IMW120R090M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	866Auf Lager 240erwartet ab 16.10.2026	8,20 € 4,42 € 4,08 € 3,69 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,60 € 3.907Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R220M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	3.907Auf Lager	5,60 € 3,19 € 2,92 € 2,76 € 2,67 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,11 € 314Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R072M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	314Auf Lager	7,11 € 4,04 € 3,72 € 3,56 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 473Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R107M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	473Auf Lager	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,31 € 960Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	960Auf Lager	8,31 € 4,70 € 4,34 € 3,98 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 4,59 € 19Auf Lager 25.000Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	19Auf Lager 25.000Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMBF170R1K0M1XTMA1 Lagerbestand: 19 sofort lieferbar Auf Bestellung: 2.000 erwartet ab 07.01.2027 23.000 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 60 Wochen	Cut-Tape 4,59 € 2,43 € 2,22 € 1,93 € Reel 1,80 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,56 € 57Auf Lager 2.000Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R650M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	57Auf Lager 2.000Auf Bestellung	Cut-Tape 5,56 € 2,94 € 2,67 € 2,43 € Reel 2,16 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,00 € 480erwartet ab 26.10.2026 NRND	Herst. Teilenr. IMW120R030M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	480erwartet ab 26.10.2026	15,00 € 9,22 € 8,32 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,32 € 23Auf Lager 240erwartet ab 05.11.2026 NRND	Herst. Teilenr. IMW120R140M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	23Auf Lager 240erwartet ab 05.11.2026	6,32 € 3,67 € 3,37 € 3,16 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,07 € 53Auf Lager 960erwartet ab 10.12.2026 NRND	Herst. Teilenr. IMW120R350M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	53Auf Lager 960erwartet ab 10.12.2026	5,07 € 2,69 € 2,49 € 2,28 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC