N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Fiche technique
2.013En stock
4.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
Fiche technique
4.830En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Fiche technique
829En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
Fiche technique
1.674En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Fiche technique
90018/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET
Fiche technique
3.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube