N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs

DieSTMicroelectronics N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs werden mit dem konsolidierten Streifenlayout basierend auf dem MESH OVERLAY™ Prozess von STMicroelectronics hergestellt. Dieser Prozess bringt eine fortgeschrittene Produktfamilie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit hervorragender Leistung hervor. Das optimierte Layout zusammen mit der proprietären Randabschlussstruktur bietet den niedrigsten RDS(on) pro Bereich, eine Gateladung und Schaltereigenschaften, die konkurrenzlos sind.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 6
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Datenblatt
2.038Auf Lager
4.200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
Datenblatt
4.730Auf Lager
5.000erwartet ab 18.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Datenblatt
827Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
Datenblatt
1.674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Datenblatt
900erwartet ab 18.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs PowerMESH MOSFET
Datenblatt
3.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube